商品名稱：W25Q512JVEIQ
數(shù)據手冊：
W25Q512JVEIQ.pdf
品牌：Winbond
年份：23+
封裝：8-WSON
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
W25Q512JVEIQ（512M位）串行閃存為空間、引腳和電源有限的系統(tǒng)提供了存儲解決方案。該內存組織成262,144個可編程頁面，每個頁面256字節(jié)。最多256字節(jié)可以一次編程?？梢砸?6為一組（4KB扇區(qū)擦除）的組擦除頁面，128個（32KB塊擦除），256個一組（64KB塊擦除）或整個芯片（芯片擦除）。
規(guī)格
存儲器類型：非易失
存儲器格式：閃存
技術：FLASH - NOR
存儲容量：512Mb
存儲器組織：64M x 8
存儲器接口：SPI - 四 I/O
時鐘頻率：133 MHz
寫周期時間 - 字，頁：-
電壓 - 供電：2.7V ~ 3.6V
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-WDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝：8-WSON（8x6）
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。
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答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Winbond Electronics - Winbond Electronics Corporation是一家存儲器 IC 公司，致力于設計、制造和銷售服務，向全球客戶提供高品質存儲器解決方案。 產品線包括代碼存儲閃存、串行和并行 NAND、特殊 DRAM 和移動 DRAM。產品廣泛應用于物聯(lián)網垂直市場領域的各個公司，涵蓋…
W66BP2NQUAFJ
W66BP2NQUAFJ器件是一款2Gb低功耗DDR4 SDRAM，適合支持edge AI的設備。說明：LPDDR4是一款低功耗動態(tài)RAM，與LPDDR3芯片相比有顯著改進。就像低功耗類別中的早期迭代一樣，LPDDR4在其時鐘信號的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據。然而，它在不改變時鐘頻率的情況下實現(xiàn)了更大的帶寬…
W632GU6QB-09
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W634GU6RB11I
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W9825G6KH-6I
W9825G6KH-6I是一種高速同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM），以 4M 字 ? 4 個庫 16 位組織。W9825G6KH 的數(shù)據帶寬高達每秒 2 億字。產品屬性存儲器類型： 易失 存儲器格式： DRAM 技術： SDRAM 存儲容量： 256Mb 存儲器組織： 16M x 16 存儲器接口： 并聯(lián) 時鐘頻率：…
W632GU6MB-12
W632GU6MB-12是一款 2G 位 DDR3L SDRAM，分為 16,777,216 個字 8 個庫 16 位。該器件可實現(xiàn)高達 2133 MT/s 的高速傳輸速率（DDR3L-2133），適用于各種應用。產品屬性存儲器類型： 易失 存儲器格式： DRAM 技術： SDRAM - DDR3 存儲容量： 2Gb 存儲器組織：128M x 1…電話咨詢：86-755-83294757
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