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NVTFWS9D6P04M8LTAG P溝道MOSFET是-40V、-64A單P溝道功率MOSFET，具有低RDS(on) 值和低電容，可最大限度地降低導通和驅(qū)動器損耗。該 MOSFET具有3.3mm × 3.3mm的小尺寸，設計緊湊。MOSFET符合AEC-Q101標準并具有PPAP功能 典型應用包括電池保護、電機控制、電源開關、開關電源、負載開關和電磁閥驅(qū)動器。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：P 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：13A（Ta），64A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：9.5 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 580μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：34.6 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2312 pF @ 20 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），75W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：8-WDFN（3.3x3.3）

封裝/外殼：8-PowerWDFN

基本產(chǎn)品編號：NVTFWS9

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