商品名稱:LMG3425R030RQZR
數(shù)據(jù)手冊:LMG3425R030RQZR.pdf
品牌:TI
年份:21+
封裝:VQFN54
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
LMG342xR030 GaN FET 具有集成式驅(qū)動器和保護功能,可讓設(shè)計人員在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。
LMG342xR030 集成了一個硅驅(qū)動器,可實現(xiàn)高達 150 V/ns 的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動器相比,TI 的集成式精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合,可在硬開關(guān)電源拓撲中提供干凈的開關(guān)和超小的振鈴??烧{(diào)柵極驅(qū)動強度允許將壓擺率控制在 20 V/ns 至 150 V/ns 之間,這可用于主動控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。 LMG3425R030 包含理想二極管模式,該模式通過啟用自適應(yīng)死區(qū)時間控制功能來降低第三象限損耗。
高級電源管理功能包括數(shù)字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出進行報告,這可簡化器件加載管理。報告的故障包括過熱、過流和 UVLO 監(jiān)控。
特性
? 符合面向硬開關(guān)拓撲的 JEDEC JEP180 標(biāo)準(zhǔn)
? 帶集成柵極驅(qū)動器的 600-V GaN-on-Si FET
集成高精度柵極偏置電壓
200V/ns CMTI
2.2MHz 開關(guān)頻率
30 V/ns 至 150 V/ns 壓擺率,用于優(yōu)化開關(guān)性能和緩解 EMI
在 7.5V 至 18V 電源下工作
? 強大的保護
響應(yīng)時間少于 100 ns 的逐周期過流和鎖存短路保護
硬開關(guān)時可承受 720V 浪涌
針對內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護
? 高級電源管理
數(shù)字溫度 PWM 輸出
理想二極管模式可減少 LMG3425R030 中的第三象限損耗
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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