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SemiQ SiC MOSFET 模塊在高溫下具有低導通電阻和出色的開關性能，從而簡化了電力電子系統的散熱設計。SiC MOSFET 模塊工作時開關損耗為零，可顯著提高效率并減少散熱，從而實現更小的散熱器。

GCMX080B120S1-E1產品屬性：

FET 類型： N 通道  

技術： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 1200 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 30A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 100 毫歐 @ 20A，20V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 10mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 58 nC @ 20 V  

Vgs（最大值）： +25V，-10V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1336 pF @ 1000 V   

功率耗散（最大值）： 142W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 底座安裝  

供應商器件封裝： SOT-227  

封裝/外殼： SOT-227-4，miniBLOC

應用

光伏逆變器

電池充電器

服務器電源

儲能系統

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。