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CY15B116QI-20BKXC是一款低功耗、16 Mbit 非易失性存儲器，采用了先進的鐵電工藝。鐵電隨機存取存儲器或 F-RAM 是一種非易失性存儲器，其讀寫功能與 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠數(shù)據保留，同時消除了串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲器帶來的復雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。與串行閃存和 EEPROM 不同，CY15X116QI 以總線速度執(zhí)行寫入操作。不會產生寫入延遲。每個字節(jié)成功傳輸?shù)狡骷?，?shù)據立即寫入存儲器陣列。無需進行數(shù)據輪詢，即可開始下一個總線周期。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產品具有很強的寫入耐用性。CY15X116QI 能夠支持 1015 次讀寫周期，寫入次數(shù)是 EEPROM 的 1 億倍。

特點

16 位鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 邏輯結構為 2048K × 8

幾乎無限的耐用性 1000 萬億 (1015) 次讀寫

151 年的數(shù)據保存期（請參閱第 19 頁的數(shù)據保存期和耐用性）

NoDelay? 寫入

先進的高可靠性鐵電工藝

快速串行外設接口 (SPI)

頻率高達 20 MHz

支持 SPI 模式 0（0，0）和模式 3（1，1）

先進的寫保護方案

使用寫保護 (WP) 引腳進行硬件保護

使用禁寫 (WRDI) 指令進行軟件保護

1/4、1/2 或整個陣列的軟件塊保護

器件 ID 和序列號

制造商 ID 和產品 ID

唯一設備 ID

序列號

專用的 256 字節(jié)特殊扇區(qū) F-RAM

專用特殊扇區(qū)寫入和讀取

存儲的內容可在三個標準回流焊接周期內正常運行

低功耗

20 MHz 時的有效電流為 1.50 mA（典型值

14 μA（典型值）待機電流

1.10 μA（典型值）深度掉電模式電流

0.1 μA（典型值） 休眠模式電流

1.90 mA（典型值） 開機期間的浪涌電流

規(guī)格

類別：存儲器  

包裝： 托盤  

零件狀態(tài)： 在售  

存儲器類型： 非易失  

存儲器格式： FRAM  

技術： FRAM（鐵電體 RAM）  

存儲容量： 16Mb  

存儲器組織： 2M x 8  

存儲器接口： SPI  

時鐘頻率： 20 MHz  

訪問時間： 20 ns  

電壓 - 供電： 1.8V ~ 3.6V  

工作溫度： 0°C ~ 70°C（TA）  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼： 24-TBGA  

供應商器件封裝： 24-FBGA（6x8） 

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。

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  答：大部分商品信息中都有標注貨期，您可根據貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。