商品名稱:NOR 閃存
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:BGA-24
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
S26HL02GTFGBHB043 - 帶 HyperBus? 接口的 2Gbit 非易失性 NOR 閃存存儲器
S26HL02GTFGBHB043 - 主要特性:
英飛凌? 45 納米 MIRRORBIT? 技術(shù)
256 或 512 字節(jié)的頁面編程緩沖區(qū)
1024 字節(jié)(32 x 32 字節(jié))的 OTP 安全硅區(qū)域 (SSR)
HYPERBUS? 接口
- 符合 JEDEC 擴展 SPI (JESD251) 標準
- DDR 選件運行速度高達 332 MBps(166 MHz 時鐘速度)
- 支持數(shù)據(jù)選通 (DS),可簡化高速系統(tǒng)中的讀取數(shù)據(jù)捕獲
帶有 HYPERBUS? 接口的 SEMPER? 閃存器件支持傳統(tǒng) SPI(×1)或 HYPERBUS? 接口(×8)的默認啟動方式
封裝 - 24 球 BGA 8 x 8 毫米
S26HL02GTFGBHB043 - 產(chǎn)品描述:
S26HS02GTFPBHB053 是高速 CMOS、MIRRORBIT? NOR 閃存器件,符合 JEDEC JESD251 擴展 SPI (xSPI) 規(guī)范。SEMPER? 閃存提供靈活的扇區(qū)架構(gòu)。地址空間既可以配置為統(tǒng)一的 256KB 扇區(qū)陣列,也可以配置為混合分組陣列,其中 32 個 4KB 扇區(qū)要么在頂部分組,要么在底部分組,而其余扇區(qū)均為 256KB;還可以配置為混合分割陣列,其中 32 個 4KB 扇區(qū)既在頂部也在底部,而其余扇區(qū)均為 256KB。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…DD171N12KK
DD171N12KK是一款高性能整流二極管模塊,屬于 DD171N 系列。該模塊采用壓力接觸技術(shù),具有 1200V 的阻斷電壓和 171A 的額定電流,使用隔離銅基板,適用于相控應用。其先進的設計和制造工藝確保了在高功率應用中的可靠性和效率。產(chǎn)品特性—DD171N12KK壓力接觸技術(shù):提供高…DD171N12KA
DD171N12KA是一款 1200V、171A 的整流二極管模塊,采用壓力接觸封裝。該模塊設計用于高功率應用,能夠提供高效的功率轉(zhuǎn)換和可靠的性能。DD171N12KA產(chǎn)品特性高電壓和大電流處理能力 :能夠承受高達 1200V 的反向電壓,最大可處理 171A 的連續(xù)電流。低功耗 :具備低正向?qū)ā?/span>ND89N16K
ND89N16K是一款 20mm 單整流二極管模塊,采用壓力接觸技術(shù),具有 1600V 的阻斷電壓和 89A 的額定電流,使用隔離銅基板,適用于相控應用。ND89N12K
ND89N12K是單整流二極管 20 mm 功率模塊 1200 V,89 A 模塊,用于使用隔離銅底板的壓力觸點技術(shù)進行相位控制。BSC020N03MSG
BSC020N03MSG是一款 N 溝道功率 MOSFET,采用 OptiMOS? 技術(shù),具有極低的導通電阻和柵極電荷,封裝形式為 TDSON-8(5x6mm),適用于多種高效功率應用。電話咨詢:86-755-83294757
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