商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-HDSOP-22
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
英飛凌的IMDQ75R016M1H CoolSiC? MOSFET 750 V 是一款高度堅固的 SiC MOSFET,具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性。
CoolSiC? MOSFET 750 V 充分利用了英飛凌 20 多年的 SiC 經(jīng)驗。它在性能、可靠性和堅固性方面都具有優(yōu)勢,并具有柵極驅動靈活性,從而簡化了系統(tǒng)設計,提高了成本效益,實現(xiàn)了最高的效率和功率密度。創(chuàng)新的頂部-側面冷卻封裝進一步增強了 CoolSiC? 750 V 的優(yōu)勢,提供了更高的密度、優(yōu)化的功率回路設計以及更低的系統(tǒng)和裝配成本。
IMDQ75R016M1H特征描述
高度堅固的 750 V 技術
同類最佳的 RDS(on) x Qfr
出色的 Ron x Qoss 和 Ron x QG
同時具有低 Crss/Ciss 和高 Vgsth 性能
100% 經(jīng)過雪崩測試
.XT 互連技術,具有同類最佳的散熱性能
尖端的頂部冷卻封裝
IMDQ75R016M1H產(chǎn)品規(guī)格
系列: CoolSiC?
包裝: 卷帶(TR)剪切帶(CT)
零件狀態(tài): 在售
FET 類型: N 通道
技術: SiC(碳化硅結晶體管)
漏源電壓(Vdss): 750 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 98A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V,20V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值): 15毫歐 @ 41.5A,20A
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 5.6V @ 14.9mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 80 nC @ 18 V
Vgs(最大值): +23V,-5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 2869 pF @ 500 V
功率耗散(最大值): 384W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應商器件封裝: PG-HDSOP-22-1
封裝/外殼: 22-PowerBSOP 模塊
IMDQ75R016M1H潛在應用
固態(tài)繼電器 (SSR)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/116 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 19 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/78 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 30 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/61 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 40 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/44 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 60 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/34 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 80 m?
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