商品名稱:GaN 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PDFN 8x8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1250 件
GS-065-011-6-LR-MR 是一款增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管,具有大電流、高電壓擊穿和高開(kāi)關(guān)頻率等特性。它采用底部冷卻 PDFN 封裝,結(jié)殼熱阻極低,非常適合要求苛刻的大功率應(yīng)用。這些特性結(jié)合在一起,確保了極高的功率開(kāi)關(guān)效率。
特性
700 V 電子模式功率晶體管
850 V 漏極至源極瞬態(tài)電壓
底部冷卻、8x8 毫米 PDFN 封裝
RDS(on) = 125 mΩ
IDSmax,DC = 12.2 A / IDSmax,Pulse = 20 A
超低 FOM
柵極驅(qū)動(dòng)要求(0 V 至 6 V)
開(kāi)關(guān)頻率高(> 1 MHz)
快速、可控的下降和上升時(shí)間
反向?qū)芰?/span>
零反向恢復(fù)損耗
產(chǎn)品屬性
FET 類型: N 通道
技術(shù): GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss): 700 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 12.2A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 180 毫歐 @ 3.2A,6V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 2.6V @ 2.4mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 2.2 nC @ 6 V
Vgs(最大值): +7V,-10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 70 pF @ 400 V
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: 8-PDFN(8x8)
封裝/外殼: 8-VDFN 裸露焊盤
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…ND171N18K
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DD98N22K是一款高壓、大電流整流二極管模塊,采用20mm PowerBLOCK封裝,支持2200V反向電壓和98A連續(xù)輸出電流,適用于工業(yè)電力電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、可再生能源等高功率應(yīng)用場(chǎng)景。CY7C1441KV33-133BZM
CY7C1441KV33-133BZM 器件是一款 36Mbit 同步 SRAM 存儲(chǔ)器,具有多種功能,可解決網(wǎng)絡(luò)和高性能計(jì)算方面的難題。該 SRAM 存儲(chǔ)器是高速網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)和路由器、通信基礎(chǔ)設(shè)施、測(cè)試設(shè)備、成像和視頻以及高性能計(jì)算應(yīng)用的理想之選。CY7C1441KV33-133BZM 的特性支持 133 MHz 總線…DD89N14K
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DD89N12K整流二極管 20 mm 功率模塊 1200 V,89 A 壓力觸點(diǎn)技術(shù)相位控制模塊,使用隔離銅底板。電話咨詢:86-755-83294757
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