商品名稱:GaN 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PDFN 5x6
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1250 件
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GS-065-011-6-L-MR 是一款增強型氮化鎵非硅功率晶體管。GaN 的特性可實現(xiàn)高電流、高電壓擊穿和高開關(guān)頻率。GaN Systems 通過業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新技術(shù),如獲得專利的 Island Technology? 單元布局,實現(xiàn)了大電流芯片和高產(chǎn)量。GS-065-011-6-L-MR 是底部冷卻型晶體管,具有極低的結(jié)殼熱阻,適用于要求苛刻的高功率應(yīng)用。這些特性結(jié)合在一起,可提供極高效率的功率開關(guān)。
應(yīng)用
電源適配器
LED照明驅(qū)動器
電池充電快
功率因數(shù)校正
工業(yè)電源
光伏
電信基礎(chǔ)設(shè)施用交流-直流電源轉(zhuǎn)換
數(shù)據(jù)中心和計算解決方案
電器和工業(yè)電機驅(qū)動器
無線功率傳輸
GS-065-011-6-L-MR產(chǎn)品屬性:
FET 類型: N 通道
技術(shù):GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss): 700 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :12.2A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 180 毫歐 @ 3.2A,6V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 2.6V @ 2.4mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 2.2 nC @ 6 V
Vgs(最大值): +7V,-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 70 pF @ 400 V
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: 8-PDFN(5x6)
封裝/外殼: 8-PowerVDFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IR3889M 是一款易于使用、完全集成的 DC-DC 降壓穩(wěn)壓器。板載 PWM 控制器和帶有集成自舉二極管的 OptiMOS? FET 使 IR3889 成為小尺寸解決方案,提供高效的功率傳輸。此外,它使用快速恒定導(dǎo)通時間 (COT) 控制方案,簡化了設(shè)計工作并實現(xiàn)了快速控制響應(yīng)。IR3889 的特征…IR38064M
IR38064M PMBus SupIRBuck? 是一款易于使用、完全集成且高效的 DC/DC 穩(wěn)壓器,帶有 I2C/PMBus 接口。板載 PWM 控制器和 MOSFET 使 IR38064 成為節(jié)省空間的解決方案,為低輸出電壓和高電流應(yīng)用提供精確的功率傳輸。優(yōu)勢?內(nèi)部 LDO 支持單 個21V 運行?輸出電壓范圍:0.5V…BSC0901NSI
BSC0901NSI一款N通道功率MOSFET,屬于OptiMOS?系列,專為高性能降壓轉(zhuǎn)換器優(yōu)化。IPC100N04S5-1R9
IPC100N04S5-1R9是一款專為汽車應(yīng)用設(shè)計的N溝道增強型MOSFET,隸屬于英飛凌的OptiMOS? 5系列。IKW40N65H5
IKW40N65H5高速 650 V、40 A 硬開關(guān) TRENCHSTOPTM IGBT5 與 RAPID 1 快速軟反并聯(lián)二極管共同封裝在 TO-247 封裝中,被定義為 “同類最佳 ”IGBT。電話咨詢:86-755-83294757
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