商品名稱:微處理器 - MPU
品牌:ST
年份:24+
封裝:VFBGA-424
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3500 件
【ST】微處理器 STM32MP255CAK3 - 1.2GHz,高性能32位微處理器IC,VFBGA-424
產(chǎn)品詳情:配備雙 Arm Cortex-A35 @1.2GHz、Cortex-M33 @400MHz 的 MPU,2xEthernet、3xFD-CAN、LVDS/DSI、H.264、3D GPU、AI/NN、安全啟動(dòng)、加密、DRAM 編碼/解碼、PKA
STM32MP255CAK3 - 產(chǎn)品屬性:
核心處理器:ARM? Cortex?-A35,ARM? Cortex?-M0+,ARM? Cortex?-M33
內(nèi)核數(shù)/總線寬度:2、1、1 核,32 位
速度:1.2GHz
協(xié)處理器/DSP:GPU
RAM 控制器:DDR3L,DDR4,LPDDR4
圖形加速:是
顯示與接口控制器:LCD,LVDS,MIPI-CSI2
以太網(wǎng):10/100/1000Mbps(3)
USB:USB 2.0(1),USB 3.0(1),USB Type-C(1)
電壓 - I/O:1.8V,3.3V
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:424-VFBGA
供應(yīng)商器件封裝:424-VFBGA(14x14)
附加接口:GPIO,DMA,CANbus,I2C,MMC/SD/SDIO,SPDIF,SPI,UART/USART
主要優(yōu)勢(shì) :
豐富的接口
- 2 個(gè)以太網(wǎng)端口,支持 TSN、FD-CAN、PCIe/USB3.0 等。用于攝像頭的并行和 MIPI CSI-2。用于顯示器的并行、LVDS 和 MIPI DSI。
增強(qiáng)的安全性
- 先進(jìn)的安全功能,通過 SESIP3 目標(biāo)認(rèn)證,支持物聯(lián)網(wǎng)和工業(yè)應(yīng)用的安全功能。
處理和邊緣人工智能功能
- 雙 Cortex-A35、Cortex-M33、1.35 TOPS 的神經(jīng)處理單元 (NPU) 和圖形處理單元 (GPU)。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STM32F103CBT6
STM32F103CBT6是主流微控制器可滿足工業(yè)、醫(yī)療和消費(fèi)者市場(chǎng)中的各種應(yīng)用需求。STM32G030C8T6TR
STM32G030C8T6TR 32位微控制器 (MCU) 適合用于消費(fèi)、工業(yè)和家電領(lǐng)域的應(yīng)用,并可隨時(shí)用于物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 解決方案。STM32G030K8T6TR
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SCT025H120G3-7器件是一款1200 V 碳化硅功率MOSFET,采用(ST)先進(jìn)的SiC MOSFET技術(shù)開發(fā)而成。SCT025H120G3-7具有極低的RDS(on)、低電容和極高的開關(guān)操作性能,適用于高頻、高效、系統(tǒng)尺寸和重量減輕的應(yīng)用場(chǎng)景??。技術(shù)規(guī)格產(chǎn)品:SCT025H120G3-7封裝 / 箱體:H2PAK-7晶…SCT016H120G3AG
SCT016H120G3AG器件是一款1200 V 汽車級(jí)碳化硅功率 MOSFET 晶體管,采用ST先進(jìn)的第三代SiC MOSFET技術(shù)開發(fā)而成,具有高開關(guān)速度和堅(jiān)固的內(nèi)建體二極管,適用于高頻應(yīng)用。此外,SCT016H120G3AG符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車電子領(lǐng)域。技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品:SCT016H120G3AG封裝 / 箱…SCT012W90G3-4AG
SCT012W90G3-4AG器件是一款汽車級(jí)碳化硅功率MOSFET,采用ST先進(jìn)的第三代碳化硅MOSFET技術(shù)。該器件在整個(gè)溫度范圍內(nèi)具有極低的 RDS(on) 以及低電容和非常高的開關(guān)作,從而提高了應(yīng)用在頻率、能效、系統(tǒng)尺寸和減重方面的性能。技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品:SCT012W90G3-4AG封裝 / 箱體:…電話咨詢:86-755-83294757
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