商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:ON
年份:24+
封裝:D2PAK-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
NTBG032N065M3S 是一款全新的650V M3S 平面 SiC MOSFET 系列器件,針對(duì)快速開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。平面技術(shù)與負(fù)柵極電壓驅(qū)動(dòng)一起可靠地工作,并關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列在采用 18V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)具有最佳性能,但與 15V 柵極驅(qū)動(dòng)配合使用時(shí)也能很好地工作。
產(chǎn)品屬性:
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:52 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:44 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, 22 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
Qg-柵極電荷:55 nC
封裝 / 箱體:D2PAK-7
工作溫度:- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散:200 W
通道模式:Enhancement
商標(biāo):onsemi
配置:Single
下降時(shí)間:9 ns
封裝:Reel
封裝:Cut Tape
產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS
上升時(shí)間:12 ns
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來溝通確認(rèn)。
答:可以通過網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NCV8460ADR2G
NCV8460ADR2G——具有溫度關(guān)斷和電流限制功能的自保護(hù)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器型號(hào):NCV8460ADR2G封裝:SOIC-8類型:自保護(hù)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器 NCV8460ADR2G 是一款完全受保護(hù)的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,可用于開關(guān)各種負(fù)載,如燈泡、螺線管和其他觸發(fā)器。該器件內(nèi)部具有主動(dòng)限流和熱關(guān)斷功能,可防止…NCV0372BDWR2G
NCV0372BDWR2G是一種單片電路,可用作伺服放大器和電源等多種應(yīng)用中的功率運(yùn)算放大器。NIS5132MN4TXGHW
NIS5132MN4TXGHW 一款高性能 N 溝道 MOSFET,以其優(yōu)異的性能和可靠性,成為工業(yè)控制、汽車電子、通信設(shè)備等領(lǐng)域的理想選擇。NTMFS4925NT1G
NTMFS4925NT1G是一款高性能 N 通道功率 MOSFET,專為高效率、低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。LB11988V
LB11988V是一款電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 IC,最適合用于驅(qū)動(dòng)直流風(fēng)扇電機(jī)。NTBGS001N06C
NTBGS001N06C是一款小尺寸、設(shè)計(jì)緊湊的MOSFET,具有低RDS(on) 和低電容。低RDS(on) 值可最大限度降低導(dǎo)通損耗,低電容可最大限度降低驅(qū)動(dòng)器損耗?;緟?shù)晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:342 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號(hào)-12
官方二維碼
友情鏈接: