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MT61K512M32KPA-14C:B GDDR6 SGRAM 是一種高速動態(tài)隨機存取存儲器，專為需要高帶寬的應用而設計。它內(nèi)部配置為 16 塊內(nèi)存，包含 17,179,869,184 位。

GDDR6 SGRAM 的高速接口針對與主機控制器的點對點連接進行了優(yōu)化。所有高速接口信號都采用了片上終端 (ODT)，無需在系統(tǒng)中使用終端電阻。

GDDR6 采用 16n 預取架構和 DDR 或 QDR 接口來實現(xiàn)高速運行。該器件的架構由兩個 16 位寬的完全獨立通道組成。

產(chǎn)品屬性：MT61K512M32KPA-14C:B

產(chǎn)品種類: 動態(tài)隨機存取存儲器

類型: SGRAM - GDDR6

存儲容量: 16 Gbit

數(shù)據(jù)總線寬度: 32 bit

最大時鐘頻率: 1.5 GHz

封裝 / 箱體: FBGA-180

組織: 512 M x 32

電源電壓-最小: 1.3095 V

電源電壓-最大: 1.3905 V

最小工作溫度: 0 C

最大工作溫度: + 95 C

安裝風格: SMD/SMT

產(chǎn)品類型: DRAM

工廠包裝數(shù)量: 1260

子類別: Memory & Data Storage

電源電流—最大值: -

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