HMC521ALC4TR是一款結構緊湊的砷化鎵(GaAs)單片微波集成電路(MMIC)同相正交(I/Q)混頻器,采用符合 RoHS 規(guī)范的 24 端子陶瓷無引線芯片載體(LCC)封裝。該器件既可用作圖像抑制混頻器,也可用作單邊帶上變頻器?;祛l器使用兩個標準雙平衡混頻器單元和一個 90° 混合耦合器,采用砷化鎵金屬半導體場效應晶體管 (MESFET) 工藝制造。該器件體積更小,可替代混合式圖像抑制混頻器和單邊帶上變頻組件。HMC521ALC4TR無需接線,因此可以使用表面貼裝制造技術。
HMC521ALC4TR特點
下變頻器,8.5 GHz 至 13.5 GHz
轉換損耗: 典型值:9 dB
圖像抑制:典型值 27.5 dBc
LO 與射頻隔離 典型值:39 dB
輸入 IP3:典型值 16 dBm
寬 IF 帶寬:直流至 3.5 GHz
3.9 mm × 3.9 mm、24 端子 LCC 封裝:16 mm2
HMC521ALC4TR應用
微波和甚小口徑終端 (VSAT) 無線電設備
測試設備
軍用電子戰(zhàn) (EW);電子對抗 (ECM);電子
電子對抗 (ECM) 以及指揮、控制、通信和情報 (C3I)
通信和情報 (C3I)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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