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H9HCNNNBKUMLHR-NMOR是SK海力士推出的低功耗LPDDR4 SDRAM，主要面向智能手機(jī)、平板電腦、車載信息娛樂系統(tǒng)等移動(dòng)設(shè)備。該芯片采用 FBGA-200封裝，支持 1.8V/1.1V/0.6V多電壓供電，具有 低功耗、高帶寬 的特點(diǎn)，適用于高性能計(jì)算和存儲密集型應(yīng)用。

H9HCNNNBKUMLHR-NMOR屬于 LPDDR4X系列，相比標(biāo)準(zhǔn)LPDDR4，其I/O功耗降低45%，更適合節(jié)能型設(shè)備。

H9HCNNNBKUMLHR-NMOR特性

低功耗設(shè)計(jì)

支持 0.6V超低I/O電壓，相比LPDDR4節(jié)能45%。

多種省電模式（Self-Refresh、Deep Power-Down）。

高帶寬性能

數(shù)據(jù)速率 3733Mbps（等效1866MHz時(shí)鐘頻率）。

雙通道架構(gòu)，提升數(shù)據(jù)傳輸效率。

高密度存儲

2GB容量（1G×16組織架構(gòu)），滿足移動(dòng)設(shè)備多任務(wù)需求。

增強(qiáng)可靠性

符合 AEC-Q100 車規(guī)認(rèn)證（部分型號），適用于汽車電子。

支持 ECC（糾錯(cuò)碼），提高數(shù)據(jù)完整性。

寬溫支持

工作溫度 -25°C ~ +85°C（商業(yè)級）或 -40°C ~ +105°C（工業(yè)級）。

H9HCNNNBKUMLHR-NMOR參數(shù)

存儲容量：2GB（1G×16）

數(shù)據(jù)速率：3733Mbps（LPDDR4X）

電壓：1.8V（VDD）、1.1V（VDDQ）、0.6V（VDD2H）

封裝：FBGA-200

溫度范圍：-25°C ~ +85°C（商業(yè)級）

接口：16位雙通道

刷新模式：Auto/Self-Refresh

典型應(yīng)用

H9HCNNNBKUMLHR-NMOR 主要應(yīng)用于：

智能手機(jī)/平板電腦：高分辨率顯示、AI計(jì)算加速。

車載信息娛樂系統(tǒng)：導(dǎo)航、多媒體處理。

工業(yè)嵌入式設(shè)備：邊緣計(jì)算、機(jī)器視覺。

消費(fèi)電子：AR/VR設(shè)備、便攜式游戲機(jī)。

• 1.平臺上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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