商品名稱:FGH60T65SQD-F155
數(shù)據(jù)手冊(cè):FGH60T65SQD-F155.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
安森美FGH60T65SQD-F155采用創(chuàng)新的場(chǎng)終止型IGBT技術(shù)。安森美FGH60T65SQD-F155是第四代IGBT,可為太陽(yáng)能逆變器、UPS、焊機(jī)、電信、ESS和PFC應(yīng)用提供最佳性能。這些IGBT可用于低導(dǎo)通和開關(guān)損耗至關(guān)重要的應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):120 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):240 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,60A
功率 - 最大值:333 W
開關(guān)能量:227μJ(開),100μJ(關(guān))
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:79 nC
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:20.8ns/102ns
測(cè)試條件:400V,15A,4.7 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):34.6 ns
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3
應(yīng)用
? 太陽(yáng)能逆變器
? 不間斷電源
? 焊接機(jī)
? 電信
? ESS
? PFC
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄嚒⑼ㄐ?、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NTMFS4925NT1G
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NTBGS001N06C是一款小尺寸、設(shè)計(jì)緊湊的MOSFET,具有低RDS(on) 和低電容。低RDS(on) 值可最大限度降低導(dǎo)通損耗,低電容可最大限度降低驅(qū)動(dòng)器損耗。基本參數(shù)晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:342 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:…NVMJST1D4N06CLTXG
NVMJST1D4N06CLTXG汽車功率MOSFET采用TCPAK57封裝,設(shè)計(jì)緊湊高效,具有高散熱性能。通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的MOSFET和PPAP適合要求更高電路板級(jí)可靠性的汽車應(yīng)用。基本參數(shù)Vds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:198 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.49 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:…NVMFWS2D1N08XT1G
NVMFWS2D1N08XT1G是一款單N-通道功率MOSFET,具有80V的漏源電壓和181A的連續(xù)漏極電流,導(dǎo)通電阻為2.1mohm??。該器件采用SO8FL封裝,適用于需要高電流處理的電路設(shè)計(jì)。產(chǎn)品屬性晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:80 VId-連續(xù)漏極電流:181 A…NXH600N100L4F5PG
NXH600N100L4F5PG是一款功率模塊,內(nèi)置一個(gè)I型中性點(diǎn)箝位三電平逆變器。集成的場(chǎng)截止溝槽IGBTs和frd提供更低的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)崿F(xiàn)高效率和出色的可靠性。特征? 中性點(diǎn)箝位三電平逆變器模塊? 1000 V 場(chǎng)截止器 4 個(gè) IGBT? 低電感布局? 壓接銷? 熱…電話咨詢:86-755-83294757
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