商品名稱:FGH75T65SHD-F155
數(shù)據(jù)手冊(cè):FGH75T65SHD-F155.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
安森美半導(dǎo)體的新型場(chǎng)截止第 3 代 IGBT 系列采用新型場(chǎng)截止 IGBT 技術(shù),為太陽(yáng)能逆變器、UPS、焊接機(jī)、電信、ESS 和 PFC 等低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗至關(guān)重要的應(yīng)用提供最佳性能。
特性
最大結(jié)溫: TJ =175°C
正溫度系數(shù),易于并聯(lián)運(yùn)行
高電流能力
低飽和電壓: VCE(sat)= 1.6 V(典型值) @ IC = 75 A
ILM(1)部件 100% 檢測(cè)
高輸入阻抗
快速開(kāi)關(guān)
緊密的參數(shù)分布
符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
FGH75T65SHD-F155 產(chǎn)品屬性
IGBT 類型: 溝槽型場(chǎng)截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值): 150 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm): 225 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值): 2.1V @ 15V,75A
功率 - 最大值 :455 W
開(kāi)關(guān)能量: 2.4mJ(開(kāi)),720μJ(關(guān))
輸入類型: 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷: 123 nC
25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值: 28ns/80ns
測(cè)試條件: 400V,75A,3 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr) :43.4 ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝: TO-247-3
應(yīng)用
? 太陽(yáng)能逆變器、UPS、焊接機(jī)、PFC、電信、ESS、PFC
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。
答:可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NTBL023N065M3S
NTBL023N065M3S器件是一款碳化硅(SiC)MOSFET,設(shè)計(jì)用于快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用,提供可靠的性能??。NTBL023N065M3S 在 VGS = 18V 時(shí)具有 23mΩ 的典型 RDS(on)、超低柵極電荷 (QG(tot) = 69nC) 和低電容的高速開(kāi)關(guān) (Coss = 152pF)。NTBL023N065M3S SiC MOSFET 非常適合…NCV8460ADR2G
NCV8460ADR2G——具有溫度關(guān)斷和電流限制功能的自保護(hù)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器型號(hào):NCV8460ADR2G封裝:SOIC-8類型:自保護(hù)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器 NCV8460ADR2G 是一款完全受保護(hù)的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,可用于開(kāi)關(guān)各種負(fù)載,如燈泡、螺線管和其他觸發(fā)器。該器件內(nèi)部具有主動(dòng)限流和熱關(guān)斷功能,可防止…NCV0372BDWR2G
NCV0372BDWR2G是一種單片電路,可用作伺服放大器和電源等多種應(yīng)用中的功率運(yùn)算放大器。NIS5132MN4TXGHW
NIS5132MN4TXGHW 一款高性能 N 溝道 MOSFET,以其優(yōu)異的性能和可靠性,成為工業(yè)控制、汽車電子、通信設(shè)備等領(lǐng)域的理想選擇。NTMFS4925NT1G
NTMFS4925NT1G是一款高性能 N 通道功率 MOSFET,專為高效率、低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。LB11988V
LB11988V是一款電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 IC,最適合用于驅(qū)動(dòng)直流風(fēng)扇電機(jī)。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國(guó)利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號(hào)-12
官方二維碼
友情鏈接: