商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:21+
封裝:PG-TO220
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5550 件
IPA65R660CFD是英飛凌的 N 溝道 MOSFET,屬于 CoolMOS CFD 系列。該系列 MOSFET 專為高電壓、高功率應(yīng)用設(shè)計(jì),具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)。
IPA65R660CFD 特性
高電壓:漏源極電壓(Vdss)高達(dá) 650V
高電流:連續(xù)漏極電流(Ids)為 6A
低導(dǎo)通電阻:在 10V 的柵源電壓下,導(dǎo)通電阻(Rds(on))最大為 660 毫歐
快速開(kāi)關(guān):具備快速開(kāi)關(guān)特性,適合高頻應(yīng)用
高功率:最大耗散功率為 27.8W
封裝:采用 TO-220 封裝,適合通孔安裝
IPA65R660CFD 規(guī)格參數(shù)
通道類型:N 通道
漏源極電壓 (Vdss):650V
連續(xù)漏極電流 (Ids):6A
導(dǎo)通電阻 (Rds(on)):660 毫歐 @ 10V
柵極電荷 (Qg):22nC @ 10V
輸入電容 (Ciss):615pF @ 100V
最大耗散功率:27.8W
封裝:TO-220
應(yīng)用
IPA65R660CFD 適用于多種高電壓、高功率的應(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于:
電源管理:開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
工業(yè)控制:電機(jī)驅(qū)動(dòng)、變頻器。
通信設(shè)備:基站電源、通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-TSDSON-8
5000
OptiMOS? 6 40V 功率MOSFET,融合業(yè)界領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻與卓越的開(kāi)關(guān)性能
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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