明佳達(dá)電子全新原裝英飛凌車規(guī)級MOSFET_IAUC100N04S6N015_OptiMOS?- 6 功率晶體管，40V，N-Ch，最大 1.5 mΩ，SS08 (5x6)產(chǎn)品概述：IAUC100N04S6N015是一款40V，N溝道，最大導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為1.5 mΩ的汽車級MOSFET，采用SS08（5x6mm）封裝。特征：OptiMOS?技術(shù)專為…
明佳達(dá)電子全新原裝英飛凌車規(guī)級MOSFET_IAUC100N04S6N015_OptiMOS?- 6 功率晶體管，40V，N-Ch，最大 1.5 mΩ，SS08 (5x6)
產(chǎn)品概述：
IAUC100N04S6N015是一款40V，N溝道，最大導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為1.5 mΩ的汽車級MOSFET，采用SS08（5x6mm2）封裝。
特征：
OptiMOS?技術(shù)專為汽車應(yīng)用設(shè)計。
N溝道增強(qiáng)型模式。
符合AEC Q101標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車級應(yīng)用。
最高工作溫度達(dá)到175°C。
綠色環(huán)保產(chǎn)品（符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)）。
100%雪崩測試。
電氣特性：
連續(xù)漏極電流（I_D）：100A。
導(dǎo)通電阻（RDS(on)@Vgs,Id）：在V_GS=10V，Id=50A時最大值為1.55mΩ。
閾值電壓（Vgs(th)@Id）：在Id=150uA時為3V。
產(chǎn)品屬性：
FET 類型： N 通道
技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）： 40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：100A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 1.55 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 3V @ 50μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 3470 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）： 100W（Tc）
工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）
等級： 汽車級
資質(zhì)： AEC-Q101
安裝類型： 表面貼裝型
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