最新資訊STW35N60DM2 是一款N通道 600V、0.094 Ohm、28 A MDmesh DM2 功率MOSFET，非常適合開(kāi)關(guān)應(yīng)用。概述：這款高壓 N 溝道功率 MOSFET 是 MDmesh? DM2 快速恢復(fù)二極管系列的一部分。它具有非常低的恢復(fù)電荷 （Qrr） 和時(shí)間 （trr） 以及低 RDS（on），使其適用于最苛刻的高效率…
STW35N60DM2 是一款N通道 600V、0.094 Ohm、28 A MDmesh DM2 功率MOSFET，非常適合開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
概述：
這款高壓 N 溝道功率 MOSFET 是 MDmesh? DM2 快速恢復(fù)二極管系列的一部分。它具有非常低的恢復(fù)電荷 （Qrr） 和時(shí)間 （trr） 以及低 RDS（on），使其適用于最苛刻的高效率轉(zhuǎn)換器，是橋式拓?fù)浜?ZVS 相移轉(zhuǎn)換器的理想選擇。
特性：
快速恢復(fù)體二極管
極低的柵極電荷和輸入電容
低導(dǎo)通電阻
100% 雪崩測(cè)試
極高的 dv/dt 耐用性
齊納保護(hù)
STW35N60DM2 的規(guī)格：
FET 類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：28A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：110 毫歐 @ 14A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：54 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2400 pF @ 100 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：210W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-247-3
封裝/外殼：TO-247-3
電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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