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供應 ON 功率模塊:IGBT 模塊、MOSFET 模塊、Si/SiC 混合模塊

供應 ON 功率模塊:IGBT 模塊、MOSFET 模塊、Si/SiC 混合模塊

來源:本站時間:2025-01-11瀏覽數(shù):

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深圳市明佳達電子有限公司 供應 ON 功率模塊:IGBT 模塊、MOSFET 模塊、Si/SiC 混合模塊


深圳市明佳達電子有限公司供應多種電子元器件,如5G 芯片、新能源IC、物聯(lián)網(wǎng)IC、藍牙IC、車聯(lián)網(wǎng)IC、車規(guī)級IC、通信IC、人工智能IC,存儲器IC、傳感器IC、微控制器IC、收發(fā)器IC、以太網(wǎng)IC、WiFi芯片、無線通信模塊、連接器等產(chǎn)品,廣泛應用于汽車、通訊儀器、計算機、消費電子、醫(yī)療儀器、音頻設備、視頻顯示儀器儀表、通訊系統(tǒng)、車載電源等多個領域。公司始終秉承著“服務于客戶,讓利于客戶”的宗旨,為客戶提供優(yōu)質的產(chǎn)品和服務。


IGBT模塊

IGBT 模塊用于牽引以及太陽能逆變器、儲能系統(tǒng)、不間斷電源和電機驅動器的直流-交流級。


MOSFET模塊

MOSFET 模塊用于汽車電機驅動和車載充電器應用。它們的額定電壓為 40 V、60 V、80 V 和 650 V,采用超結技術和感應電阻器。除了六組、全橋和半橋拓撲結構外,還提供圖騰柱 PFC 拓撲結構。


硅/硅混合模塊

硅/碳化硅混合模塊包含 IGBT、硅二極管和碳化硅二極管。它們用于太陽能逆變器、儲能系統(tǒng)和不間斷電源的直流-交流級。


混合 Si/SiC(硅/碳化硅)模塊是具有高功率密度的集成 IGBT 功率模塊。與非混合模塊相比,它們的開關損耗更低,工作溫度也高于其他類型的半導體。


硅/碳化硅混合模塊有多種用途,包括用于需要低損耗的大功率應用。與同類硅模塊相比,它們還可用于更高的溫度環(huán)境。對于需要高頻開關的系統(tǒng),硅/碳化硅混合模塊的效率更高。



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