產(chǎn)品說明IRFH5215TRPBF是一款由Infineon生產(chǎn)的MOSFET器件,采用PQFN 5x6封裝,屬于N溝道功率MOSFET。Infineon 的 StrongIRFET? 功率 MOSFET 系列針對(duì)低 RDS(on)和高電流能力進(jìn)行了優(yōu)化。這些器件非常適合需要高性能和耐用性的低頻應(yīng)用。全面的產(chǎn)品組合適用于廣泛的應(yīng)用…
產(chǎn)品說明
IRFH5215TRPBF是一款由Infineon生產(chǎn)的MOSFET器件,采用PQFN 5x6封裝,屬于N溝道功率MOSFET。Infineon 的 StrongIRFET? 功率 MOSFET 系列針對(duì)低 RDS(on)和高電流能力進(jìn)行了優(yōu)化。這些器件非常適合需要高性能和耐用性的低頻應(yīng)用。全面的產(chǎn)品組合適用于廣泛的應(yīng)用,包括直流電機(jī)、電池管理系統(tǒng)、逆變器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
產(chǎn)品規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):150 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):5A(Ta),27A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):58 毫歐 @ 16A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):32 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1350 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.6W(Ta),104W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PQFN(5x6)
封裝/外殼:8-VQFN 祼焊盤
基本產(chǎn)品編號(hào):IRFH5215
應(yīng)用領(lǐng)域
IRFH5215TRPBF器件適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于:
直流電機(jī)?:由于其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,適用于高效率的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
電池管理系統(tǒng)?:用于電池充放電控制,提供穩(wěn)定的電流輸出。
逆變器?:在逆變器中提供高效率的開關(guān)功能。
DC-DC轉(zhuǎn)換器?:在電源管理系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換。
電話咨詢:86-755-83294757
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