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ON NVGS3443T1G 4.4A 20V 單 P 溝道功率 MOSFET 晶體管

ON NVGS3443T1G 4.4A 20V 單 P 溝道功率 MOSFET 晶體管

來源:本站時間:2025-04-02瀏覽數(shù):

ON NVGS3443T1G 4.4A 20V 單 P 溝道功率 MOSFET 晶體管深圳市明佳達(dá)電子有限公司作為全球知名的電子元器件分銷商,現(xiàn)貨供應(yīng)NVGS3443T1G 4.4A 20V單P溝道功率MOSFET晶體管,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備的電源管理系統(tǒng)中。NVGS3443T1G 的產(chǎn)品說明NVGS3443T1G 是汽車用 20V、4.4…

ON NVGS3443T1G 4.4A 20V 單 P 溝道功率 MOSFET 晶體管


深圳市明佳達(dá)電子有限公司作為全球知名的電子元器件分銷商,現(xiàn)貨供應(yīng)NVGS3443T1G 4.4A 20V單P溝道功率MOSFET晶體管,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備的電源管理系統(tǒng)中。


NVGS3443T1G 的產(chǎn)品說明

NVGS3443T1G 是汽車用 20V、4.4A、65mΩ、單 P 溝道功率 MOSFET 晶體管。NVGS3443T1G 是汽車用 20V、4.4A、65mΩ、單 P 溝道功率 MOSFET 晶體管。


NVGS3443T1G 的規(guī)格

晶體管極性:P 溝道

通道數(shù):1 通道

Vds - 漏極-源極擊穿電壓:20 V

Id - 持續(xù)漏極電流:4.4 A

Rds On - 漏極-源極電阻:65 mOhms

Vgs - 柵極源極電壓:- 12 V,+ 12 V

Vgs th - 柵極-源極閾值電壓:1.5 V

Qg - 柵極電荷:15 nC

最低工作溫度:- 55 C

最高工作溫度:+ 150 C

Pd - 功率耗散:2 W

通道模式:增強(qiáng)

單位重量:20 毫克


NVGS3443T1G 的主要電氣參數(shù)包括

漏極-源極電壓 (Vdss): 20V - 這表示 NVGS3443T1G 器件可安全承受的最大漏極至源極電壓

連續(xù)漏極電流 (Id): 在 25°C 環(huán)境溫度下,NVGS3443T1G 的電流最高可達(dá) 3.1A,在某些條件下最高可達(dá) 4.4A

導(dǎo)通電阻 (Rds(on)): 在 Vgs=4.5V 和 Id=4.4A 時最大為 65mΩ - 該參數(shù)直接影響器件的傳導(dǎo)損耗。

柵極閾值電壓 (Vgs(th)): 最大 1.5V(Id=250μA 時測得)

柵極電荷 (Qg): Vgs=4.5V 時最大 15nC - 該參數(shù)會影響器件的開關(guān)速度

輸入電容 (Ciss): Vds=5V 時最大 565pF


NVGS3443T1G MOSFET 的工作溫度范圍很寬,從 -55°C 到 +150°C (結(jié)溫),因此能適應(yīng)各種惡劣的環(huán)境條件。值得注意的是,NVGS3443T1G P 溝道 MOSFET 的導(dǎo)通電阻通常高于同等的 N 溝道器件,這是因?yàn)榭昭ǎ≒ 溝道多數(shù)載流子)的電阻高于電子(N 溝道載流子)。這是由于空穴(P 溝道中的多數(shù)載流子)的遷移率低于電子(N 溝道中的多數(shù)載流子)的物理特性造成的。


NVGS3443T1G 的特點(diǎn)

超低 RDS(開)

效率更高,可延長電池壽命

微型 TSOP6 表面貼裝封裝

通過 AEC-Q101 認(rèn)證和 PPAP 認(rèn)證

符合 RoHS 規(guī)范


NVGS3443T1G P 溝道 MOSFET 結(jié)構(gòu)特性:

NVGS3443T1G P 溝道功率 MOSFET 的結(jié)構(gòu)通常采用垂直導(dǎo)電設(shè)計(jì),以優(yōu)化電流能力和導(dǎo)通電阻。與 N 溝道 LDMOS(橫向雙擴(kuò)散 MOSFET)不同,功率 P 溝道 MOSFET 通常采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu),但導(dǎo)電類型相反。


NVGS3443T1G 中,基本單元結(jié)構(gòu)包括

N 型襯底:作為器件的支撐襯底

P 型外延層:生長在 N 型襯底上,形成漏極區(qū)

N 型體區(qū)域:通過擴(kuò)散過程在 P 型外延層中形成

P+ 源區(qū):通過高濃度 P 型摻雜在 N 型體區(qū)內(nèi)形成

柵極結(jié)構(gòu):由多晶硅柵極和覆蓋在溝道區(qū)頂部的柵極氧化層組成


這種垂直結(jié)構(gòu)允許電流從頂部的源極垂直流向底部的漏極(通過襯底引線),充分利用了 NVGS3443T1G 芯片的整個橫截面積,從而降低了導(dǎo)通電阻,提高了電流處理能力。


NVGS3443T1G 的應(yīng)用

便攜式電子設(shè)備:包括智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備等,利用其體積小、柵極驅(qū)動要求低的優(yōu)勢

電源管理系統(tǒng):用于電源路徑控制、反向極性保護(hù)和 ORing 功能,充分利用 P 溝道 MOSFET 在高端開關(guān)中的優(yōu)勢

工業(yè)控制系統(tǒng):小型電機(jī)驅(qū)動、繼電器替代和低功率執(zhí)行器控制

消費(fèi)電子:數(shù)碼相機(jī)、便攜式音頻設(shè)備和家用電器等的電源開關(guān)

汽車電子:為座椅調(diào)節(jié)和天窗控制等低功耗汽車應(yīng)用提供符合標(biāo)準(zhǔn)的版本


NVGS3443T1G 的最終產(chǎn)品

手機(jī)和無繩電話

PCMCIA 卡


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