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Vishay推出新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅(qū)動器---VOFD341A和VOFD343A

Vishay推出新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅(qū)動器---VOFD341A和VOFD343A

來源:本站時間:2024-10-28瀏覽數(shù):

近日,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩款采用緊湊、高隔離延展型SO-6封裝的最新IGBT和MOSFET驅(qū)動器---VOFD341A和VOFD343A。Vishay VOFD341A和VOFD343A的峰值輸出電流分別達3 A和4 A,工作溫度高達+125 C,傳播延遲低至200 ns。新…

近日,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩款采用緊湊、高隔離延展型SO-6封裝的最新IGBT和MOSFET驅(qū)動器---VOFD341A和VOFD343A。Vishay VOFD341A和VOFD343A的峰值輸出電流分別達3 A和4 A,工作溫度高達+125 °C,傳播延遲低至200 ns。

產(chǎn)品圖片.jpg

新發(fā)布的光耦合器包含一個AlGaAs LED(該LED通過光學耦合方式連接到具有功率輸出級的集成電路,用于太陽能逆變器和微逆變器)、交流和無刷直流工業(yè)電機控制逆變器,以及用于UPS中交流/直流轉(zhuǎn)換的逆變級。器件非常適合直接驅(qū)動額定值達1200 V / 100 A的IGBT。


VOFD341A和VOFD343A支持的工作溫度高,這為更緊湊的設(shè)計提供了更高的溫度安全裕量,而器件的高峰值輸出電流無需額外的驅(qū)動級即可實現(xiàn)更快開關(guān)。器件的傳播延遲低,可將開關(guān)損耗降至最低程度,同時有助于進行更精確的PWM調(diào)節(jié)。


光耦合器的高隔離封裝可支持高達1140 V的高工作電壓,因此可用于高壓逆變級,同時仍能保持足夠的電壓安全裕量。這些器件符合RoHS規(guī)范,可支持高達50 kV/μs的抗擾,從而防止在快速開關(guān)功率級中出現(xiàn)下降函數(shù)。


VOFD341A和VOFD343A現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),訂貨周期為六周。有關(guān)Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。


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