商品名稱(chēng):NTBG020N120SC1
數(shù)據(jù)手冊(cè):NTBG020N120SC1.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:D2PAK-7
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1100 件
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NTBG020N120SC1 1200V EliteSiC(碳化硅)MOSFET采用全新技術(shù),與硅器件相比,具有更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。這些MOSFET具有低導(dǎo)通電阻,可確保低電容和低柵極電荷。1200V EliteSiC MOSFET可實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)包括提高效率、加快工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統(tǒng)尺寸。此系列MOSFET具有阻斷電壓、高速開(kāi)關(guān)、低電容等特點(diǎn),并可在-55°C至175°C的溫度范圍內(nèi)工作。
產(chǎn)品屬性
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
技術(shù): SiC
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: D2PAK-7
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV
Id-連續(xù)漏極電流: 98 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 28 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 15 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.3 V
Qg-柵極電荷: 220 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 468 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時(shí)間: 9 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 34 S
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 20 ns
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 42 ns
典型接通延遲時(shí)間: 22 ns
單位重量: 4.675 g
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶(hù)解決他們?cè)谄?chē)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
FSBB20CH60C
FSBB20CH60C是安森美新開(kāi)發(fā)的先進(jìn)Motion SPM3系列,用于為空調(diào)等小功率應(yīng)用中的交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供非常緊湊且高性能的逆變器。NTBL023N065M3S
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NCV8460ADR2G——具有溫度關(guān)斷和電流限制功能的自保護(hù)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器型號(hào):NCV8460ADR2G封裝:SOIC-8類(lèi)型:自保護(hù)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器 NCV8460ADR2G 是一款完全受保護(hù)的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,可用于開(kāi)關(guān)各種負(fù)載,如燈泡、螺線管和其他觸發(fā)器。該器件內(nèi)部具有主動(dòng)限流和熱關(guān)斷功能,可防止…NCV0372BDWR2G
NCV0372BDWR2G是一種單片電路,可用作伺服放大器和電源等多種應(yīng)用中的功率運(yùn)算放大器。NIS5132MN4TXGHW
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NTMFS4925NT1G是一款高性能 N 通道功率 MOSFET,專(zhuān)為高效率、低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。電話咨詢(xún):86-755-83294757
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