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NTBG020N120SC1 1200V EliteSiC（碳化硅）MOSFET采用全新技術(shù)，與硅器件相比，具有更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。這些MOSFET具有低導(dǎo)通電阻，可確保低電容和低柵極電荷。1200V EliteSiC MOSFET可實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)包括提高效率、加快工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統(tǒng)尺寸。此系列MOSFET具有阻斷電壓、高速開(kāi)關(guān)、低電容等特點(diǎn)，并可在-55°C至175°C的溫度范圍內(nèi)工作。

產(chǎn)品屬性

制造商: onsemi

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

技術(shù): SiC

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: D2PAK-7

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流: 98 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 28 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 15 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.3 V

Qg-柵極電荷: 220 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 468 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時(shí)間: 9 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 34 S

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET

上升時(shí)間: 20 ns

晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 42 ns

典型接通延遲時(shí)間: 22 ns

單位重量: 4.675 g

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