商品名稱:SCTW100N65G2AG
數(shù)據(jù)手冊:SCTW100N65G2AG.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:HiP247
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
SCTW100N65G2AG 650V 汽車級(jí)碳化硅功率MOSFET采用 ST先進(jìn)的創(chuàng)新第二/第三代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)而成。 該器件具有低單位面積導(dǎo)通電阻和良好的 開關(guān)性能。這些MOSFET具有非常高的工作溫度能力 (TJ=200°C),以及超快堅(jiān)固的內(nèi)在體二極管。
產(chǎn)品規(guī)格:
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):100A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):26 毫歐 @ 50A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):162 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+22V,-10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):3315 pF @ 520 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):420W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 200°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:HiP247?
封裝/外殼:TO-247-3
基本產(chǎn)品編號(hào):SCTW100
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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