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深圳明佳達電子有限公司 供應 英飛凌 IPL65R165CFD CoolMOS? N溝道功率MOSFET晶體管

深圳明佳達電子有限公司作為全球知名的電子元器件獨立分銷商，供應正品IPL65R165CFD CoolMOS? CFD2系列功率晶體管。這款650V N溝道MOSFET采用先進的超級結技術，在高壓應用中表現(xiàn)卓越。

【IPL65R165CFD產(chǎn)品概述與技術亮點】

IPL65R165CFD是英飛凌科技推出的650V N溝道功率MOSFET，采用先進的CoolMOS? CFD2（第二代快速二極管）技術。作為600V CFD技術的升級版，該器件在能效方面實現(xiàn)進一步提升。

作為超級結MOSFET，IPL65R165CFD集成了高速體二極管，顯著提升開關性能與運行可靠性。相較競品，其換向特性更平緩，電磁干擾(EMI)抑制性能更優(yōu)異，在復雜電子環(huán)境中尤為關鍵。

IPL65R165CFD采用PG-VSON-4封裝（亦稱4-PowerTSFN或VSON-4-EP），尺寸為8.1x8.1mm。該封裝適用于表面貼裝技術，具備卓越的散熱性能與機械穩(wěn)定性。

【IPL65R165CFD詳細關鍵性能參數(shù)】

IPL65R165CFD的性能參數(shù)彰顯其在功率開關應用中的優(yōu)勢：

電壓電流特性：器件額定漏源電壓(Vdss)達650V，較常規(guī)600V器件具備安全裕度。在25°C環(huán)境下，持續(xù)漏極電流(Id)可達21.3A，具備強大功率處理能力。

導通電阻：在10V柵極驅動電壓和9.3A測試電流下，IPL65R165CFD的最大導通電阻(RDS(on))僅為165mΩ。如此低的導通電阻直接轉化為更低的傳導損耗，從而提升整體系統(tǒng)能效。

開關特性：IPL65R165CFD展現(xiàn)卓越開關性能，最大柵極電荷(Qg)為86nC（@10V），輸入電容(Ciss)為2340pF（@100V）。低柵電荷與電容特性可實現(xiàn)更快的開關速度并降低驅動損耗。

熱性能：IPL65R165CFD實現(xiàn)195W（Tc）最大功耗，工作溫度范圍覆蓋-40°C至+150°C，適用于各類嚴苛運行環(huán)境。

【IPL65R165CFD技術與結構創(chuàng)新】

IPL65R165CFD采用的CoolMOS? CFD2技術帶來多重創(chuàng)新：

集成高速體二極管：相較傳統(tǒng)MOSFET，CFD2技術在反復體二極管開關過程中，通過集成低反向恢復電荷(Qrr)的高速體二極管，顯著降低開關損耗，特別適用于諧振拓撲應用。

自限性di/dt與dv/dt特性：IPL65R165CFD具備內(nèi)在的電流/電壓變化率限制能力，可有效抑制實際電路中的電壓過沖現(xiàn)象，減少對外部緩沖電路的依賴，簡化系統(tǒng)設計。

低輸出電荷(Qoss)：低輸出電荷特性顯著縮短開關延遲時間并提升開關頻率潛力，使設計者能夠采用更小型磁性元件，從而提高功率密度。

更窄的RDS(on)分布窗口：CFD2技術使最大導通電阻值與典型值之間的分布窗口更窄，確保實際生產(chǎn)中參數(shù)一致性更高，從而提升系統(tǒng)設計的可預測性和可靠性。

【IPL65R165CFD應用領域與設計優(yōu)勢】

IPL65R165CFD適用于要求高效率與可靠性的多元應用場景：

通信基礎設施：服務器、電信供電系統(tǒng)

可再生能源：太陽能逆變器

工業(yè)應用：高壓鎢絲燈鎮(zhèn)流器、電機控制

消費電子：LED照明驅動器

電動出行：電池充電、DC/DC轉換器

在上述應用中，IPL65R165CFD的快速開關特性與低開關損耗使系統(tǒng)能夠在更高頻率下運行。這既縮減了無源元件的體積與重量，又提升了功率密度。其卓越的電磁干擾特性簡化了濾波器設計，助力滿足嚴苛的電磁兼容性標準。

對于電源設計師而言，IPL65R165CFD相對簡單的驅動要求確保了與英飛凌EiceDRIVER? 1EDN及2EDN柵極驅動器系列的完美兼容性，從而降低系統(tǒng)設計復雜度。