威世科技Vishay 推出采用PowerPAK 10x12封裝的新型40 V TrenchFET 四代N溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的導(dǎo)通電阻降低了32 %，同時比采用TO-2…
威世科技Vishay 推出采用PowerPAK 10x12封裝的新型40 V TrenchFET 四代N溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的導(dǎo)通電阻降低了32 %，同時比采用TO-263-7L封裝的40 V MOSFET的導(dǎo)通電阻低58 %。
日前發(fā)布的這款器件在10 V電壓下的典型導(dǎo)通電阻低至0.34 m?，最大限度減少了傳導(dǎo)造成的功率損耗，從而提高了效率，同時通過低至0.21 °C/W典型值的RthJC改善了熱性能。SiJK140E允許設(shè)計(jì)人員使用一個器件（而不用并聯(lián)兩個器件）實(shí)現(xiàn)相同的低導(dǎo)通電阻，從而提高了可靠性，并延長了平均故障間隔時間（MTBF）。
MOSFET采用無線鍵合（BWL）設(shè)計(jì)，最大限度減少了寄生電感，同時最大限度提高了電流能力。采用打線鍵合（BW）封裝的TO-263-7L解決方案電流限于200 A，而SiJK140E可提供高達(dá)795 A的連續(xù)漏極電流，以提高功率密度，同時提供強(qiáng)大的SOA功能。與TO-263-7L相比，器件的PowerPAK 10x12封裝占位面積為120 mm2，可節(jié)省27 %的PCB空間，同時厚度減小50 %。
SiJK140E非常適合同步整流、熱插拔和OR-ing功能。典型應(yīng)用包括電機(jī)驅(qū)動控制、電動工具、焊接設(shè)備、等離子切割機(jī)、電池管理系統(tǒng)、機(jī)器人和3D打印機(jī)。為了避免這些產(chǎn)品出現(xiàn)共通，標(biāo)準(zhǔn)級FET提供了2.4Vgs的高閾值電壓。MOSFET符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)且無鹵素，經(jīng)過100 % Rg和UIS測試。
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